Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

 
APT65GP60JDQ2

- Габаритный чертеж

APT65GP60JDQ2 — IGBT 600V 130A 431W SOT227

ПроизводительMicrosemi-PPG
Вредные веществаRoHS   Без свинца
СерияPOWER MOS 7®
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 65A
Ток коллектора (макс)130A
Мощность макcимальная431W
Тип входаСтандарт
Тип монтажаChassis Mount
КорпусISOTOP
Встречается под наим.APT65GP60JDQ2-ND, APT65GP60JDQ2MI
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
APT65GP60JMicrosemi-PPGIGBT 600V 130A 431W SOT227
Серия: POWER MOS 7®  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A  ·  Ток коллектора (макс): 130A  ·  Мощность макcимальная: 431W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «APT65GP60JDQ2» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте