Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

APT75GT120JRDQ3 — IGBT 1200V 97A 481W SOT227

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	Thunderbolt IGBT®
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 75A
Ток коллектора (макс)	97A
Мощность макcимальная	481W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	ISOTOP
Встречается под наим.	APT75GT120JRDQ3G, APT75GT120JRDQ3G-ND