Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные
 
HGTG11N120CND

HGTG11N120CND — IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247

ПроизводительFairchild Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Обратите вниманиеLead Frame Change 20 дек 2007
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 11A
Ток коллектора (макс)43A
Мощность макcимальная298W
Тип входаСтандарт
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-247-3
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
HGTG11N120CNHGTG11N120CNFairchild SemiconductorIGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A  ·  Ток коллектора (макс): 43A  ·  Мощность макcимальная: 298W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «HGTG11N120CND» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте