Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные
 

IXGT32N90B2D1 — IGBT 900V 64A FRD TO-268

ПроизводительIXYS
Вредные веществаRoHS   Без свинца
СерияHiPerFAST™
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)900V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 32A
Ток коллектора (макс)64A
Мощность макcимальная300Вт
Тип входаСтандарт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусTO-268
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
IXGT32N90B2IXYSIGBT 900V 45A TO-268
Серия: HiPerFAST™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 900V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 32A  ·  Ток коллектора (макс): 64A  ·  Мощность макcимальная: 300Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TO-268
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «IXGT32N90B2D1» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте