Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

STGP10NB60S — IGBT N-CHAN 10A 600V TO-220

Производитель	STMicroelectronics
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	PowerMESH™
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.7V @ 15V, 10A
Ток коллектора (макс)	20A
Мощность макcимальная	80Вт
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 (Straight Leads)
Встречается под наим.	497-6733-5, STGP10NB60S-ND