Дискретные полупроводники · MOSFET транзисторы (одиночные)

Производитель	IXYS
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Серия	HiPerRF™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	77nC @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2700pF @ 25V
FET Polarity	N-Channel
FET Feature	Standard
Power - Max	300W
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	IXFX55N50F	IXYS	MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 Серия: HiPerRF™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6700pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 560W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: PLUS 247	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов