Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (одиночные)

 
IXFK210N17T

IXFK210N17T — MOSFET N-CH 210A 170V TO-264

ПроизводительIXYS
Вредные веществаRoHS   Без свинца
СерияGigaMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5 mOhm @ 60A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)170V
Gate Charge (Qg) @ Vgs285nC @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C210A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds18800pF @ 25V
FET PolarityN-Channel
FET FeatureStandard
Power - Max1150W
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-264
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
IXFN160N30TIXYSMOSFET N-CH 300V 130A SOT227
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 300V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 335nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 900W  ·  Mounting Type: Chassis Mount  ·  Package / Case: SOT-227B miniBLOC
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFX120N30TIXFX120N30TIXYSMOSFET N-CH 120A 300V PLUS247
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 300V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 265nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20000pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 960W  ·  Mounting Type: Through Hole  ·  Package / Case: PLUS 247
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFX160N30TIXYSMOSFET N-CH 160A 300V PLUS247
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 300V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 335nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 1390W  ·  Mounting Type: Through Hole  ·  Package / Case: PLUS 247
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFK140N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 140A TO264
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 250V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 255nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 19000pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 960W  ·  Mounting Type: Through Hole  ·  Package / Case: TO-264
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFX170N20TIXYSMOSFET N-CH 170A 200V PLUS247
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 200V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 265nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 19600pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 1150W  ·  Mounting Type: Through Hole  ·  Package / Case: PLUS 247
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFK230N20TIXYSMOSFET N-CH 230A 200V TO-264
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 200V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 378nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 1670W  ·  Mounting Type: Through Hole  ·  Package / Case: TO-264
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFK170N20TIXFK170N20TIXYSMOSFET N-CH 170A 200V TO-264
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 200V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 265nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 19600pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 1150W  ·  Mounting Type: Through Hole  ·  Package / Case: TO-264
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFX140N25TIXYSMOSFET N-CH 140A 250V PLUS247
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 250V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 255nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 19000pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 960W  ·  Mounting Type: Through Hole  ·  Package / Case: PLUS 247
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFK180N25TIXFK180N25TIXYSMOSFET N-CH 180A 250V TO-264
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 250V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 345nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 1390W  ·  Mounting Type: Through Hole  ·  Package / Case: TO-264
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFX260N17TIXFX260N17TIXYSMOSFET N-CH 260A 170V PLUS247
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 170V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 400nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 260A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 24000pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 1670W  ·  Mounting Type: Through Hole  ·  Package / Case: PLUS 247
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFN230N20TIXYSMOSFET N-CH 230A 200V SOT-227
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 200V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 378nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 220A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 1090W  ·  Mounting Type: Chassis Mount  ·  Package / Case: SOT-227B miniBLOC
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFX230N20TIXYSMOSFET N-CH 230A 200V PLUS247
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 200V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 378nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 1670W  ·  Mounting Type: Through Hole  ·  Package / Case: PLUS 247
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFK160N30TIXYSMOSFET N-CH 160A 300V TO-264
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 300V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 335nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 1390W  ·  Mounting Type: Through Hole  ·  Package / Case: TO-264
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFX210N17TIXFX210N17TIXYSMOSFET N-CH 210A 170V PLUS247
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 170V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 285nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 210A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 18800pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 1150W  ·  Mounting Type: Through Hole  ·  Package / Case: PLUS 247
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFN180N25TIXFN180N25TIXYSMOSFET N-CH 155A 250V SOT-227
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 250V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 345nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 164A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 900W  ·  Mounting Type: Chassis Mount  ·  Package / Case: SOT-227B miniBLOC
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFK260N17TIXFK260N17TIXYSMOSFET N-CH 260A 170V TO-264
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 170V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 400nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 260A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 24000pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 1670W  ·  Mounting Type: Through Hole  ·  Package / Case: TO-264
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFK120N30TIXFK120N30TIXYSMOSFET N-CH 120A 300V TO-264
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 300V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 265nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20000pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 960W  ·  Mounting Type: Through Hole  ·  Package / Case: TO-264
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFX180N25TIXYSMOSFET N-CH 180A 250V PLUS247
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 250V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 345nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 1390W  ·  Mounting Type: Through Hole  ·  Package / Case: PLUS 247
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IXFN260N17TIXYSMOSFET N-CH 245A 170V SOT-227
Серия: GigaMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 60A, 10V  ·  Drain to Source Voltage (Vdss): 170V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 400nC @ 10V  ·  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 245A  ·  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 24000pF @ 25V  ·  FET Polarity: N-Channel  ·  FET Feature: Standard  ·  Power - Max: 1090W  ·  Mounting Type: Chassis Mount  ·  Package / Case: SOT-227B miniBLOC
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «IXFK210N17T» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте