 |
IRF7309PBF — MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC
| ||||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | IRF7309 | International Rectifier | MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A, 3A · Емкость @ Vds: 520pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| IRF7309TRPBF | International Rectifier | MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A, 3A · Емкость @ Vds: 520pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| IRF7309IPBF | International Rectifier | MOSFET HEX N/P-CH DUAL 20V 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A, 3A · Емкость @ Vds: 520pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| IRF7309TR | International Rectifier | MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A, 3A · Емкость @ Vds: 520pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | IRF7309QTRPBF | International Rectifier | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A, 3A · Емкость @ Vds: 520pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| IRF7309QPBF | International Rectifier | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A, 3A · Емкость @ Vds: 520pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца