Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF9045LSR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-360S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 18.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 55Вт  ·  Корпус: NI-360S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9045LR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-360
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 18.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 55Вт  ·  Корпус: NI-360
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G27-10G,112BLF6G27-10G,112NXP SemiconductorsIC WIMAX 2.7GHZ 2-LDMOST
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.5GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 3.5A  ·  Ток - тестовый: 130mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT957A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G27-10,112BLF6G27-10,112NXP SemiconductorsIC WIMAX 2.7GHZ 2-LDMOST
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.5GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 3.5A  ·  Ток - тестовый: 130mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT957A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF244,112BLF244,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT123A
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 175MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 3A  ·  Ток - тестовый: 25mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 15Вт  ·  Корпус: SOT-123A
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF542,112BLF542,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT171A
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1.5A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 5Вт  ·  Корпус: SOT-171A
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S9100MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 26V 20W TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 19.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S9100MR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 26V 20W TO-270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 19.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S9101MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 26V 100W TO2724
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 700mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 100Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S9101MR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 26V 100W TO2704
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 700mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 100Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF282ZR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-200Z
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 75mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: NI-200Z
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
VRF148AVRF148AMicrosemi-PPGMOSFET RF PWR N-CH 50V 30W M113
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 170V  ·  Номинал тока: 6A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: M113
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE55410GR-AZNECMOSFET LD N-CHAN 28V 16-HTSSOP
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 250mA, 1A  ·  Ток - тестовый: 20mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 35.4dBm  ·  Корпус: 16-TSSOP Exposed Pad, 16-eTSSOP, 16-HTSSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S18060NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 26V 60W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.81GHz ~ 1.88GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S18060NR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 26V 60W TO270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.81GHz ~ 1.88GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9030LR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-360
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: NI-360
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S9080NR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 26V 80W TO-270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 90Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S9080NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 26V 80W TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 90Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF281ZR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-200Z
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 12.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 25mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 4Вт  ·  Корпус: NI-200Z
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF281SR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-200S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 12.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 25mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 4Вт  ·  Корпус: NI-200S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S21045NR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5P21045NR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH TO-270-4
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S21045NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 10W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
VRF150VRF150Microsemi-PPGMOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 170V  ·  Номинал тока: 16A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: M174
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFG35010ANR5MRFG35010ANR5Freescale SemiconductorTRANS RF 10W 12V PWR FET NI360HF
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 140mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: NI-360HF
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 15161718192021 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте