Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
TGF2021-04Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 12GHZ 4MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 1.8A  ·  Ток - тестовый: 300mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 36.8dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2021-08Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 12GHZ 8MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 3.8A  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 39.8dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2022-06Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ .6MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.9dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 282mA  ·  Ток - тестовый: 45mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 28.9dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2022-12Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ 1.2MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.9dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 564mA  ·  Ток - тестовый: 90mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 31.9dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2022-24Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ 2.4MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.9dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 1.12A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 34.9dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2022-48Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ 4.8MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.9dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 2.25A  ·  Ток - тестовый: 360mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 37.9dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2022-60Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ 6.0MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.3dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 2.82A  ·  Ток - тестовый: 448mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 38.8dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF4350Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 22GHZ 0.3MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 13V  ·  Номинал тока: 85mA  ·  Коэффициент шума: 1.2dB  ·  Напряжение - тестовое: 3V  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SPF-2086TKSPF-2086TKSirenza Microdevices IncIC TRANS PHEMT 6GHZ SOT-86
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 4GHz  ·  Усиление: 18.7dB  ·  Номинальное напряжение: 7V  ·  Номинал тока: 140mA  ·  Коэффициент шума: 0.5dB  ·  Ток - тестовый: 40mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  P1dB: 20dBm  ·  Корпус: SOT-86
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD2941-10RSD2941-10RSTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M174
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 175MHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 130V  ·  Номинал тока: 20A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 175W  ·  Корпус: M174
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD3933SD3933STMicroelectronicsIC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M177
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 29dB  ·  Номинальное напряжение: 250V  ·  Номинал тока: 20A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 100V  ·  P1dB: 350Вт  ·  Корпус: M177
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD2932BSD2932BSTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 175MHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 125V  ·  Номинал тока: 40A  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 300Вт  ·  Корпус: M244
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD2931SD2931STMicroelectronicsIC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 175MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 125V  ·  Номинал тока: 20A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: M244
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD3932SD3932STMicroelectronicsIC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 123MHz  ·  Усиление: 26.8dB  ·  Номинальное напряжение: 250V  ·  Номинал тока: 20A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 100V  ·  P1dB: 425W  ·  Корпус: M244
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD55008STMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST POWERFLAT
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 4A  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 12.5V  ·  P1dB: 8Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD57070SSTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 14.7dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 70Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD57018STMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 2.5A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 18W  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD55003STR-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 2.5A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 12.5V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD55008STR-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 4A  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 12.5V  ·  P1dB: 8Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD55025STMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 12.5V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD55008TRSTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 4A  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 12.5V  ·  P1dB: 8Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD54008S-EPD54008S-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 5A  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 7.5V  ·  P1dB: 8Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD57070S-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 14.7dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 70Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD57018SSTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 2.5A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 18W  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD57070-EPD57070-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 14.7dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 70Вт  ·  Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 16171819202122 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте