Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF6S21060NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 14W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 610mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 14Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD57045-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 5A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 45Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD57045S-EPD57045S-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 5A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 45Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD57060STR-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 14.3dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 60Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD57060TR-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 14.3dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 60Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFE6S9125NR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 27W TO-270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 20.2dB  ·  Номинальное напряжение: 66V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 27Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S9125NR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 20.2dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 27Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFE6S9125NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 27W TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 20.2dB  ·  Номинальное напряжение: 66V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 27Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF175,112BLF175,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT123A
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 108MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 125V  ·  Номинал тока: 4A  ·  Ток - тестовый: 30mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: SOT-123A
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF544,112BLF544,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT171A
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 7dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 3.5A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: SOT-171A
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD57030-01SD57030-01STMicroelectronicsTRANSISTOR RF PWR LDMOST M250
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 4A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: M250
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD57030SD57030STMicroelectronicsTRANSISTOR RF PWR LDMOST M243
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 4A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: M243
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7P20040HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 40W NI780H-4
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 2.03GHz  ·  Усиление: 18.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: NI-780H-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7P20040HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 2.03GHz  ·  Усиление: 18.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: NI-780HS-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA080551E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 55W H-36265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 55Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA080551F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 55W H-37265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 55Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF2043F,135BLF2043F,135NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT467C
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.2GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 2.2A  ·  Ток - тестовый: 85mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6V2150NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 220MHz  ·  Усиление: 25dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 2.5mA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6V2150NR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH TO-270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 220MHz  ·  Усиление: 25dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 2.5mA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S18060NR1Freescale SemiconductorMOSFET RF SGL STAGE TO-270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S18060NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF SGL STAGE TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA190451F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 45W H-37265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 11Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA190451E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 45W H-36265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 11Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD57070-EPD57070-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 14.7dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 70Вт  ·  Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF21010LSR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-360S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 11Вт  ·  Корпус: NI-360S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 17181920212223 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте