Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BLC6G10LS-160RNNXP SemiconductorsTRANS LDMOS W-CDMA SOT896
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 922.5MHz  ·  Усиление: 23dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 5µA  ·  Ток - тестовый: 1.2A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 32Вт
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S9101NR1MRF5S9101NR1Freescale SemiconductorMOSFET N-CH 100W 26V TO-270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 700mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 100Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S18100NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 100W TO2724
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S19100GNR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V TO-270-2 GW
Тип транзистора: N-Channel  ·  Корпус: TO-270-2 Gull Wing
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S19100NR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 22W TO270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 22Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S18100NR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 100W TO2704
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S19100NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 22W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 22Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9060LR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-360
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 70Вт  ·  Корпус: NI-360
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S21100NR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 23W TO270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.05A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 23Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S21100NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.05A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 23Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S19100NR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 29W TO270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 29Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S19100NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 29W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 29Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF21030LR3Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-400
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: NI-400
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S38010HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 3.4GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 160mA  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: NI-400S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S38010HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 3.4GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 160mA  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: NI-400
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFG35010R1Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: NI-360HF
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7P20040HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 2.03GHz  ·  Усиление: 18.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: NI-780HS-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7P20040HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 40W NI780H-4
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 2.03GHz  ·  Усиление: 18.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: NI-780H-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD57070S-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 14.7dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 70Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9085LSR3Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 17.9dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 700mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 105Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9085LSR5Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 17.9dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 700mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 105Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF21010LR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-360
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 11Вт  ·  Корпус: NI-360
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF21010LSR5Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-360S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 11Вт  ·  Корпус: NI-360S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF21010LR5Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-360
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 11Вт  ·  Корпус: NI-360
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFG35010AR1Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 140mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: NI-360HF
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 18192021222324 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте