Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
MRF7S21080HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 22W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 22Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF7S21080HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 22W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 22Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF7S19080HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 24Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF7S19080HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 24Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BLF6G20-45,135 | NXP Semiconductors | TRANS BASESTATION LDMOS SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.8GHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 360mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2.5Вт · Корпус: SOT-608A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
PTFA240451E V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.48GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA180701E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.84GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA180701F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.84GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6S21050LSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.16GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 11.5W · Корпус: NI-400S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6S21050LR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.16GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 11.5W · Корпус: NI-400 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | VRF152 | Microsemi-PPG | MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 130V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: M174 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
BLF6G22-45,135 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION DRIVER SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1.5µA · Ток - тестовый: 405mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2.5Вт · Корпус: SOT-608A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA080551E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA080551F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | MRF7S19120NR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH TO-270-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 36Вт · Корпус: TO-270-4 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
MRFG35010AR5 | Freescale Semiconductor | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 140mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | SD57045 | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF PWR LDMOST M243 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: M243 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BLF571,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 225MHz · Усиление: 27.5dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 3.6A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 20Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
PTFA190451E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 11Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTF210451F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.17GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTF210451E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.17GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA190451F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 11Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF21045LR5 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.16GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-400 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF21045LSR5 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.16GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-400S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6S27050HR3 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.62GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 7Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |