Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
MRF6S27050HSR3 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.62GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 7Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF373ALSR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 32V 75W NI-360S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 860MHz · Усиление: 18.2dB · Номинальное напряжение: 70V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 75Вт · Корпус: NI-360S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF373ALSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 32V 75W NI-360S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 860MHz · Усиление: 18.2dB · Номинальное напряжение: 70V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 75Вт · Корпус: NI-360S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF373ALR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 32V 75W NI-360 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 860MHz · Усиление: 18.2dB · Номинальное напряжение: 70V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 75Вт · Корпус: NI-360 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PD20015C | STMicroelectronics | TRANS RF POWER LDMOST M243 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: M243 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | SD2903 | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M229 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 400MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: M229 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
BLF6G10-45,112 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS 1GHZ SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 922.5MHz · Усиление: 22.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 1Вт · Корпус: SOT-608A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10S-45,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION DRIVER SOT608B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 922.5MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 1Вт · Корпус: SOT-608B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BLF177CR,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT121B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 16A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-121B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BLF177C,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT121B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 16A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-121B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BLF177,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT121B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 16A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-121B | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
MRF6S21050LSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.16GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 11.5W · Корпус: NI-400S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6S21050LR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.16GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 11.5W · Корпус: NI-400 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA210701F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA210701E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA091201F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA091201E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | SD2941-10R | STMicroelectronics | IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 130V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 175W · Корпус: M174 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | SD2941-10 | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 130V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 175W · Корпус: M174 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
MRF7S21080HR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 22W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 22Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF7S21080HSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 22W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 22Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA210601F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA210601E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF8S9100HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 100W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 920MHz · Усиление: 19.3dB · Номинальное напряжение: 70V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF8S9100HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 100W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 920MHz · Усиление: 19.3dB · Номинальное напряжение: 70V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |