Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF6S27050HSR3Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.62GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 7Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF373ALSR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 32V 75W NI-360S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 860MHz  ·  Усиление: 18.2dB  ·  Номинальное напряжение: 70V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 75Вт  ·  Корпус: NI-360S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF373ALSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 32V 75W NI-360S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 860MHz  ·  Усиление: 18.2dB  ·  Номинальное напряжение: 70V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 75Вт  ·  Корпус: NI-360S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF373ALR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 32V 75W NI-360
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 860MHz  ·  Усиление: 18.2dB  ·  Номинальное напряжение: 70V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 75Вт  ·  Корпус: NI-360
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD20015CSTMicroelectronicsTRANS RF POWER LDMOST M243
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 13.6V  ·  P1dB: 15Вт  ·  Корпус: M243
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD2903SD2903STMicroelectronicsTRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M229
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 400MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 5A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: M229
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10-45,112NXP SemiconductorsTRANS LDMOS 1GHZ SOT608A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 922.5MHz  ·  Усиление: 22.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 13A  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 1Вт  ·  Корпус: SOT-608A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10S-45,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION DRIVER SOT608B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 922.5MHz  ·  Усиление: 23dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 13A  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 1Вт  ·  Корпус: SOT-608B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF177CR,112BLF177CR,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT121B
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 108MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 125V  ·  Номинал тока: 16A  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: SOT-121B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF177C,112BLF177C,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT121B
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 108MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 125V  ·  Номинал тока: 16A  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: SOT-121B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF177,112BLF177,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT121B
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 108MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 125V  ·  Номинал тока: 16A  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: SOT-121B
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S21050LSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.16GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 11.5W  ·  Корпус: NI-400S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S21050LR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.16GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 11.5W  ·  Корпус: NI-400
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA210701F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 70W H-37265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 18W
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA210701E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 70W H-36265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 18W
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA091201F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 120W H-37248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 110Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA091201E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 120W H-36248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 110Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD2941-10RSD2941-10RSTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M174
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 175MHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 130V  ·  Номинал тока: 20A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 175W  ·  Корпус: M174
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD2941-10SD2941-10STMicroelectronicsTRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M174
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 175MHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 130V  ·  Номинал тока: 20A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 175W  ·  Корпус: M174
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S21080HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 22W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 800mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 22Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S21080HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 22W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 800mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 22Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA210601F V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 60W H-37265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA210601E V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 60W H-36265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF8S9100HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 100W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 920MHz  ·  Усиление: 19.3dB  ·  Номинальное напряжение: 70V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF8S9100HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 100W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 920MHz  ·  Усиление: 19.3dB  ·  Номинальное напряжение: 70V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 21222324252627 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте