Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BF1206,115	NXP Semiconductors	MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT363 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 30dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 18mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BF1207,115	NXP Semiconductors	MOSFET N-CH DUAL GATE 6V UMT6 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 30dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 18mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BF1210,115	NXP Semiconductors	MOSFET N-CH DUAL GATE 6V UMT6 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 31dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 19mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BF1214,115	NXP Semiconductors	MOSFET N-CH DUAL GATE 6V UMT6 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 31dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 18mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BF1208,115	NXP Semiconductors	MOSFET N-CH DUAL GATE SSMINI-6 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 32dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 19mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BF1208D,115	NXP Semiconductors	MOSFET N-CH DUAL GATE SSMINI-6 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 32dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 19mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BF 998R E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-143 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 45MHz · Усиление: 28dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 2.8dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 8V · Корпус: SOT-143R	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BF 999 E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 45MHz · Усиление: 27dB · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 2.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: SOT-23	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MD7P19130HR3	Freescale Semiconductor	MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780H-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: NI-780H-4	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MD7P19130HR5	Freescale Semiconductor	MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780H-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: NI-780H-4	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MD7P19130HSR5	Freescale Semiconductor	MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780HS-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: NI-780HS-4	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MD7P19130HSR3	Freescale Semiconductor	MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780HS-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: NI-780HS-4	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6S24140HSR3	Freescale Semiconductor	MOSFET N-CHAN 140W 28V NI-88OS Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.39GHz · Усиление: 15.2dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 28Вт · Корпус: NI-880S	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF7S21170HSR3	Freescale Semiconductor	MOSFET N-CHAN 50W 28V NI-88OS Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 50Вт · Корпус: NI-880S	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF18085BLR3	Freescale Semiconductor	MOSFET N-CHAN 85W 26V NI-78O Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 12.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 90Вт · Корпус: NI-780		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35005MR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 12V 1.5PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35003NT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.3A · Ток - тестовый: 55mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35003MT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.3A · Ток - тестовый: 55mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35003M6T1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 9dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35003M6R5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 9dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35003N6T1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 9dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35005NT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35005MT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010MT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010NT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 23 24 252627 28 29 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте