Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF6V4300NBR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 50V TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 450MHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 2.5mA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 300Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S38040HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 3.4GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 8Вт  ·  Корпус: NI-400
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF19125R5Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-880
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.3A  ·  Напряжение - тестовое: 24V  ·  P1dB: 24Вт  ·  Корпус: NI-880
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S19210HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 63W NI780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S9150HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 19.7dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.5A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 33W  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S19120HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 19Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFE6S9130HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 27W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 19.2dB  ·  Номинальное напряжение: 66V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 27Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFG35003N6AT1Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 6V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9135LSR5Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 17.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.1A  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S19100NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 29W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 29Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S19100HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 16.1dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 22Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF1550FNT1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN TO272-6
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 175MHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 12.5V  ·  P1dB: 50Вт  ·  Корпус: TO-272-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF 1009SR E6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 800MHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Номинальное напряжение: 12В  ·  Номинал тока: 25mA  ·  Коэффициент шума: 1.4dB  ·  Напряжение - тестовое: 9V  ·  Корпус: SOT-143R
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA212401E V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 240W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA142401EL V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 240W H-33288-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.5GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 2A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 240Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA191001E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 44dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA210601E V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 60W H-36265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF 1005 E6327BF 1005 E6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 800MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 25mA  ·  Коэффициент шума: 1.6dB  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA080551F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 55W H-37265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 55Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA260851F V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 85W H-31248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 85Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA180701E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 70W H-36265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.84GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 60Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA080551E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 55W H-36265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 55Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF 2030R E6814Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 800MHz  ·  Усиление: 23dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 40mA  ·  Коэффициент шума: 1.5dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SOT-143R
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA181001F V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 100W H-37248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.85GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF 2030 E6814BF 2030 E6814Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 800MHz  ·  Усиление: 23dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 40mA  ·  Коэффициент шума: 1.5dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 24252627282930 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте