Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
MRF6V4300NBR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 50V TO-272-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 450MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 2.5mA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт · Корпус: TO-272-4 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF7S38040HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 3.4GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 8Вт · Корпус: NI-400 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF19125R5 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 24V · P1dB: 24Вт · Корпус: NI-880 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF7S19210HR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 63W NI780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF5S9150HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 19.7dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.5A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 33W · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6S19120HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.99GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 19Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRFE6S9130HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 27W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 27Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRFG35003N6AT1 | Freescale Semiconductor | TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF9135LSR5 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 17.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.1A · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 25Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF7S19100NBR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 29W TO272-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 29Вт · Корпус: TO-272-4 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6S19100HSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.99GHz · Усиление: 16.1dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 22Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF1550FNT1 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 50Вт · Корпус: TO-272-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BF 1009SR E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.4dB · Напряжение - тестовое: 9V · Корпус: SOT-143R | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA212401E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA142401EL V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 240Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA191001E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 44dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA210601E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BF 1005 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.6dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
PTFA080551F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA260851F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA180701E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.84GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA080551E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BF 2030R E6814 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143R | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA181001F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BF 2030 E6814 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |