Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
MRF5S21090HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 850mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 19Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF5S21090HR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 850mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 19Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6S9130HR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 27Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | MRF6V2300NBR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH TO-272-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 220MHz · Усиление: 25.5dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 2.5mA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт · Корпус: TO-272-4 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | MRF6V2300NR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH TO-270-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 220MHz · Усиление: 25.5dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 2.5mA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт · Корпус: TO-270-4 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
MRF6S23100HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.3GHz · Усиление: 15.4dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 20Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6S23100HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.3GHz · Усиление: 15.4dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 20Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF7S21110HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 33W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 17.3dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 33W · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF7S21110HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 33W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 17.3dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 33W · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF5S19100HSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 22Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF5S19100HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 22Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF5S21100HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.05A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 23Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF5S21100HR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.05A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 23Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BLF6G20LS-75,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 29.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
PTFA210701F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTF140451F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-31265 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA210701E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA091201F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTF140451E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA091201E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6S9160HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 20.9dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6S9160HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 20.9dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6S9130HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 27Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRFE6S9130HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 27W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 27Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRFE6S9130HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 27W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 27Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |