Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PTFA190451F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 45W H-37265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 11Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA192401E V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 240W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA041501HL V1 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 470MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 150Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA210701F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 70W H-37265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 18W
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA192001E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 200W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 15.9dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.8A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA261702E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 170W H-30275-4
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.66GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.8A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 170Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA190451E V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 45W H-36265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 11Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BG 5412K E6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 800MHz  ·  Усиление: 24dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 25mA  ·  Коэффициент шума: 1.1dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA210601F V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 60W H-37265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA082201F V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 894MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.95A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 220Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA181001GL V1 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.85GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA192401F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 240W H-37260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA080551E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 55W H-36265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 55Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA212401E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 240W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA212401F V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 240W H-37260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA181001HL V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.85GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTF080101M V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: 10-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA192001E V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 200W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 15.9dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.8A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA082201E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 220W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 894MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.95A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 220Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA091201E V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 120W H-36248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 110Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF 5030W E6327BF 5030W E6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 800MHz  ·  Усиление: 24dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 25mA  ·  Коэффициент шума: 1.3dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 3V  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA261301F V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 130W H-31260-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 130Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF 2040W E6814BF 2040W E6814Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 800MHz  ·  Усиление: 23dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 40mA  ·  Коэффициент шума: 1.6dB  ·  Ток - тестовый: 15mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA261301E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 130Вт  ·  Корпус: H30260-2
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA212001F/1 P4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 26272829303132 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте