Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PTFA191001F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 44dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192001F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA092201E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA092201F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA181001F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA080551F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTF210451F V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.17GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTF080101S V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: H32259-2		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA190451E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 11Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTF180101S V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: H32259-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA212001F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BF 1005SR E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143R Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.6dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143R	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BF 999 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 20V 30MA SOT-23 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 45MHz · Усиление: 27dB · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 2.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: SOT-23	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192001F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA142401EL V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 240Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTF180101M V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: 10-TSSOP		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BG 3230 E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 24dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA081501F V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 900MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA142401FL V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-34288-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 240Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA082201F V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BF 2040R E6814	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.6dB · Ток - тестовый: 15mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143R	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA080551E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA091201HL V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA091201GL V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA212401F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 27 28 293031 32 33 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте