Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PTFA180701E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.84GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA180701F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.84GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BG 3123 E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 25dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA, 20mA · Коэффициент шума: 1.8dB · Ток - тестовый: 14mA · Напряжение - тестовое: 4V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA260851E V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 85W H-30248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA081501E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 150W H-30248-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 900MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA091201F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA211801F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA181001E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA181001GL V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BG 3130R E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363R Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 24dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 14mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA092201E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BG 5130R E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363R Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 24dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 3V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BF 1009S E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.4dB · Напряжение - тестовое: 9V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA181001E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA240451E V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.48GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA091201GL V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA041501GL V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BF 5020 E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 26dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.2dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA211801F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BG 3430R E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 25dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 14mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA092201F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA091201E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA210601E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA211801E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTF210101M V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.17GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: 10-TSSOP		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 28 29 303132 33 34 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте