Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
PTF141501E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W H-30260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 1.5A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA041501HL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BF 999 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 45MHz · Усиление: 27dB · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 2.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: SOT-23 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA260851E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 85W H-30248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BF 2040 E6814 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.6dB · Ток - тестовый: 15mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
PTFA241301F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.42GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.15A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTF140451F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-31265 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA260451E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: H30265-2 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA082201E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA211801E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 180W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA210701E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTF240101S V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: H32259-2 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA240451E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.48GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: H30265-2 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA212001F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA210601F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BF 5020R E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 26dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.2dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143R | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA212001E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA082201E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA191001E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 44dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA041501GL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BG 3123R E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363R Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 25dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA, 20mA · Коэффициент шума: 1.8dB · Ток - тестовый: 14mA · Напряжение - тестовое: 4V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BF 2030W E6814 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
PTFA181001HL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA092201F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
![]() | VRF154FL | Microsemi-PPG | MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 60A · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 600W | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |