Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PTF141501E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 150W H-30260-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.5GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 1.5A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 150Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA041501HL V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 470MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 150Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF 999 E6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 45MHz  ·  Усиление: 27dB  ·  Номинальное напряжение: 20В  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 2.1dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA260851E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 85W H-30248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 85Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF 2040 E6814BF 2040 E6814Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 800MHz  ·  Усиление: 23dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 40mA  ·  Коэффициент шума: 1.6dB  ·  Ток - тестовый: 15mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA241301F V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.42GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.15A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 130Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTF140451F V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 45W H-31265
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.5GHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 45Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA260451E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 45W H-30265-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 45Вт  ·  Корпус: H30265-2
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA082201E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 220W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 894MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.95A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 220Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA211801E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 180W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.2A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 35Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA210701E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 70W H-36265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 18W
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTF240101S V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 10W H-32259-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: H32259-2
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA240451E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 45W H-30265-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.48GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 45Вт  ·  Корпус: H30265-2
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA212001F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA210601F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 60W H-37265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF 5020R E6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 800MHz  ·  Усиление: 26dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 25mA  ·  Коэффициент шума: 1.2dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SOT-143R
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA212001E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 200W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA082201E V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 220W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 894MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.95A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 220Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA191001E V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 44dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA041501GL V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 470MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 150Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BG 3123R E6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363R
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 800MHz  ·  Усиление: 25dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 25mA, 20mA  ·  Коэффициент шума: 1.8dB  ·  Ток - тестовый: 14mA  ·  Напряжение - тестовое: 4V  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF 2030W E6814BF 2030W E6814Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 800MHz  ·  Усиление: 23dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 40mA  ·  Коэффициент шума: 1.5dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA181001HL V1 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.85GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA092201F V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.85A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 220Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
VRF154FLVRF154FLMicrosemi-PPGMOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 170V  ·  Номинал тока: 60A  ·  Ток - тестовый: 800mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 600W
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 29303132333435 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте