Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MRFG35003MT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.3A · Ток - тестовый: 55mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35003N6AT1	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35003N6T1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 9dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35003NR5	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF 3W 12V POWER FET Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.3A · Ток - тестовый: 55mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35003NT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.3A · Ток - тестовый: 55mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35005ANT1	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF 4.5W 12V PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35005MR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 12V 1.5PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35005MT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35005NR5	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35005NT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010ANR5	Freescale Semiconductor	TRANS RF 10W 12V PWR FET NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 140mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010ANT1	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 130mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010AR1	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 140mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010AR5	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 140mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010MT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010NR5	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF 9W 12V POWER FET Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010NT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010R1	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010R5	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35020AR1	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF 20W GAAS NI-360 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.5GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 15V · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 20Вт · Корпус: NI-360	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35020AR5	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF 20W GAAS NI-360 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.5GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 15V · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 20Вт · Корпус: NI-360	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35030R5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 15V · Ток - тестовый: 650mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 30Вт · Корпус: HF-600		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MW6S004NT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 4W PLD-1.5 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.96GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 4Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MW6S010GMR1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2 Gull Wing		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 33 34 353637 38 39 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте