Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BLF1820-90,112BLF1820-90,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 90Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF1100WR,115BF1100WR,115NXP SemiconductorsMOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 800MHz  ·  Номинальное напряжение: 14V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 2dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 9V  ·  Корпус: CMPAK-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G22-45,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION DRIVER SOT608A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1.5µA  ·  Ток - тестовый: 405mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2.5Вт  ·  Корпус: SOT-608A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-75,118BLF6G20LS-75,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 18A  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 29.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G22-180PN,112NXP SemiconductorsTRANS BASESTATION 2-LDMOST
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 5µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 50Вт  ·  Корпус: 5-LDMOST
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G27LS-75,112NXP SemiconductorsTRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.5GHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 18A  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 9Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-160,112BLF6G10LS-160,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1GHz  ·  Усиление: 28dB  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLC6G10LS-160RNNXP SemiconductorsTRANS LDMOS W-CDMA SOT896
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 922.5MHz  ·  Усиление: 23dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 5µA  ·  Ток - тестовый: 1.2A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 32Вт
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF513,215BF513,215NXP SemiconductorsMOSFET N-CH 20V 10MA SOT23
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 100MHz  ·  Номинальное напряжение: 20В  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 1.5dB  ·  Ток - тестовый: 5mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  Корпус: SST3 (SOT-23-3)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF2045,112BLF2045,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT467C
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 4.5A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G22S-100,112BLF4G22S-100,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF1212,215BF1212,215NXP SemiconductorsMOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 400MHz  ·  Усиление: 30dB  ·  Номинальное напряжение: 6V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 0.9dB  ·  Ток - тестовый: 12mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF861B,215BF861B,215NXP SemiconductorsJFET N-CHAN 25V SOT-23
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 15mA  ·  Корпус: SST3 (SOT-23-3)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF1043,112BLF1043,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT538A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 2.2A  ·  Ток - тестовый: 85mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: SOT-538A
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF862,215BF862,215NXP SemiconductorsJFET N-CHAN 20V SOT-23
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 20В  ·  Номинал тока: 25mA  ·  Корпус: SST3 (SOT-23-3)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLS6G2731-120,112NXP SemiconductorsTRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 60V  ·  Номинал тока: 33A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 120W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLA1011S-200,112BLA1011S-200,112NXP SemiconductorsTRANS LDMOS NCH 75V SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.03GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 75V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 36V  ·  P1dB: 200Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF647,112BLF647,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT540A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 600MHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 18A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 120W  ·  Корпус: 4-LDMOST
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF1207,115NXP SemiconductorsMOSFET N-CH DUAL GATE 6V UMT6
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 400MHz  ·  Усиление: 30dB  ·  Номинальное напряжение: 6V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 1.3dB  ·  Ток - тестовый: 18mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF2043F,135BLF2043F,135NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT467C
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.2GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 2.2A  ·  Ток - тестовый: 85mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF1046,112BLF1046,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT467C
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 4.5A  ·  Ток - тестовый: 300mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 45Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF1211R,215BF1211R,215NXP SemiconductorsMOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 400MHz  ·  Усиление: 29dB  ·  Номинальное напряжение: 6V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 0.9dB  ·  Ток - тестовый: 15mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SC-61B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF994S,215BF994S,215NXP SemiconductorsMOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 200MHz  ·  Усиление: 25dB  ·  Номинальное напряжение: 20В  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 1dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 15V  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF1102R,115BF1102R,115NXP SemiconductorsMOSFET N-CH 7V 40MA SOT363R
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 800MHz  ·  Номинальное напряжение: 7V  ·  Номинал тока: 40mA  ·  Коэффициент шума: 2dB  ·  Ток - тестовый: 15mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF177CR,112BLF177CR,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT121B
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 108MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 125V  ·  Номинал тока: 16A  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: SOT-121B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 35363738394041 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте