Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PTFA192401E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA212401E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192401F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA212401F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA211801E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA211801F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA142401EL V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 240Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF377HR3	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 32V 45W NI-860C Тип транзистора: N-Channel · Частота: 860MHz · Усиление: 18.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 17A · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 45Вт · Корпус: NI-860C3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	SD57120	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF PWR LDMOST M252 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 14A · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 120W · Корпус: M252	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA212001E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192001E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192001F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA212001F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE650103M-A	NEC	MESFET GAAS 2.7GHZ 3M Тип транзистора: MESFET · Частота: 2.3GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 1.5A · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 40dBm · Корпус: 3M	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF647,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF DMOS SOT540A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 600MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 120W · Корпус: 4-LDMOST	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6P27160HR6	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-1230 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.66GHz · Усиление: 14.6dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт · Корпус: NI-1230	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6P18190HR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 44W NI-1230 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.87GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 44W · Корпус: NI-1230	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA142401FL V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-34288-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 240Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA142401EL V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 240Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6P27160HR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-1230 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.66GHz · Усиление: 14.6dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт · Корпус: NI-1230	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF546,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF DMOS SOT268A Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 500MHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 9A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 80Вт · Корпус: SOT-268A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA261702E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.66GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 170Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6S24140HS	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.39GHz · Усиление: 15.2dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 28Вт · Корпус: NI-880S	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF377HR5	Freescale Semiconductor	MOSFET N-CH 32V 240W RF PWR Тип транзистора: N-Channel · Частота: 860MHz · Усиление: 18.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 17A · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 45Вт · Корпус: NI-860C3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF18090AR3	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.81GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 90Вт · Корпус: NI-880	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 36 37 383940 41 42 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте