Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BLF6G10-160RN,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 922.5MHz · Усиление: 22.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 39A · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 32Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G22LS-75,112 | NXP Semiconductors | TRANS BASESTATION 2-LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 18.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 690mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 17Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BLL1214-35,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 35Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BLF4G20S-110B,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 700mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BLF6G10LS-160,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1GHz · Усиление: 28dB · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BLF6G22LS-130,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR BASE STATION SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 34A · Ток - тестовый: 1.1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BF998WR,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 200MHz · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 8V · Корпус: SOT-343R | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BLF145,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 28MHz · Усиление: 27dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 6A · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 8Вт · Корпус: SOT-123A | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
BLF6G10LS-200RN:11 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS POWER 200W SOT-502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
![]() | BF1206,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT363 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 30dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 18mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BF861C,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 25V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 25mA · Корпус: SST3 (SOT-23-3) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
BLF6G10-200RN,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BLF6G27-135,112 | NXP Semiconductors | IC WIMAX 2.7GHZ SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.5GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 34A · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 20Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BF1105WR,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143B Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 800MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.7dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: CMPAK-4 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BF245B,112 | NXP Semiconductors | JFET N-CH 30V 25MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BLF4G20LS-110B,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.4dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 650mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BF556A,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 30V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 7mA · Корпус: SST3 (SOT-23-3) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
BF1100R,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143R Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 800MHz · Номинальное напряжение: 14V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 2dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 9V · Корпус: SOT-143R | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BLF574,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT539A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 225MHz · Усиление: 26.5dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 56A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 400Вт · Корпус: 5-LDMOST | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BLF6G20LS-75,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 29.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
BLF6G27LS-135,118 | NXP Semiconductors | TRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.5GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 34A · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 20Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BLF861A,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT540A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 150Вт · Корпус: 4-LDMOST | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
BLF6G27LS-75,118 | NXP Semiconductors | TRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.5GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 9Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BF998,215 | NXP Semiconductors | MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 200MHz · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 8V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BF1100,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 800MHz · Номинальное напряжение: 14V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 2dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 9V · Корпус: SC-61B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |