Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MRFE6P3300HR3	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 300W 32V NI-860C3 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 857MHz · Усиление: 20.4dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 270Вт · Корпус: NI-860C3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6P3300HR3	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 32V 300W NI-860C3 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 857MHz · Усиление: 20.2dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 320W · Корпус: NI-860C3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF574,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF LDMOS SOT539A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 225MHz · Усиление: 26.5dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 56A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 400Вт · Корпус: 5-LDMOST	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6P3300HR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 32V 300W NI-860C3 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 857MHz · Усиление: 20.2dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 320W · Корпус: NI-860C3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6P24190HR6	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 28V 190W NI-1230 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.39GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.9A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: NI-1230	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6P24190HR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 28V 190W NI-1230 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.39GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.9A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: NI-1230	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF9210R5	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN 860C3 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.9A · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 40Вт · Корпус: NI-860C3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF9210R3	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN 860C3 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.9A · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 40Вт · Корпус: NI-860C3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFE6P3300HR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 300W 32V NI-860C3 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 857MHz · Усиление: 20.4dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 270Вт · Корпус: NI-860C3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF878,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF LDMOS SOT979A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 89V · Номинал тока: 1.4µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 40В · P1dB: 300Вт · Корпус: 5-LDMOST	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF248,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF DMOS SOT262A1 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 225MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 300Вт · Корпус: SOT-262A1	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF368,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF DMOS SOT262A1 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 225MHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 25A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 300Вт · Корпус: SOT-262A1	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLL1214-35,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 35Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6VP3450HSR6	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 450W NI1230S Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 860MHz · Усиление: 22.5dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 90Вт · Корпус: NI-1230S	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6VP3450HR6	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 450W NI-1230 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 860MHz · Усиление: 22.5dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 90Вт · Корпус: NI-1230	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6VP3450HSR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 450W NI1230S Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 860MHz · Усиление: 22.5dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 90Вт · Корпус: NI-1230S	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6VP3450HR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 50V NI-1230 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 860MHz · Усиление: 22.5dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 90Вт · Корпус: NI-1230	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF548,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF DMOS SOT262A2 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 500MHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 160A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-262A2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF346,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF DMOS SOT119A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 224.25MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: SOT-119A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF872,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF LDMOS SOT800 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.2µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 300Вт · Корпус: 4-LDMOST	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF9180R6	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN NI-1230 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 170Вт · Корпус: NI-1230	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF9180R5	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN NI-1230 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 170Вт · Корпус: NI-1230	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6VP2600HR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 50V NI-1230 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 225MHz · Усиление: 25dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 2.5mA · Ток - тестовый: 2.6A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 125Вт · Корпус: NI-1230	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6VP2600HR6	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 600W NI1230 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 225MHz · Усиление: 25dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 2.5mA · Ток - тестовый: 2.6A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 125Вт · Корпус: NI-1230	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	VRF154FL	Microsemi-PPG	MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 60A · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 600W	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 37 38 394041 42 43 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте