Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BLF573S,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 225MHz  ·  Усиление: 27.2dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 42A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 300Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G10-160,112BLF4G10-160,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 894MHz  ·  Усиление: 19.7dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 15A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 160W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF245B,126BF245B,126NXP SemiconductorsJFET N-CH 30V 25MA TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 100MHz  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Номинал тока: 25mA  ·  Коэффициент шума: 1.5dB  ·  Напряжение - тестовое: 15V  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G22LS-100,118NXP SemiconductorsTRANS BASESTATION 2-LDMOST
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 29A  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-200,112BLF6G10LS-200,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G38-10,118BLF6G38-10,118NXP SemiconductorsIC WIMAX 3.8GHZ 2-LDMOST
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 3.4GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 3.1A  ·  Ток - тестовый: 130mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT957A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-140,112BLF6G20LS-140,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT896B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 39A  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 35.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF202,115BLF202,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT409A
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 175MHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 1A  ·  Ток - тестовый: 20mA  ·  Напряжение - тестовое: 12.5V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: SOT-409A
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G10LS-120,112BLF4G10LS-120,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 920MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 650mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 48W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20-110,112BLF6G20-110,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 29A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G38-10,112BLF6G38-10,112NXP SemiconductorsIC WIMAX 3.8GHZ 2-LDMOST
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 3.4GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 3.1A  ·  Ток - тестовый: 130mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT957A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF909AWR,115NXP SemiconductorsMOSFET N-CH 7V 40MA SOT143R
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 800MHz  ·  Номинальное напряжение: 7V  ·  Номинал тока: 40mA  ·  Коэффициент шума: 2dB  ·  Ток - тестовый: 15mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SOT-343R
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLA1011-200,112BLA1011-200,112NXP SemiconductorsTRANS LDMOS NCH 75V SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.03GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 75V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 36V  ·  P1dB: 200Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G22-45,135NXP SemiconductorsIC BASESTATION DRIVER SOT608A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1.5µA  ·  Ток - тестовый: 405mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2.5Вт  ·  Корпус: SOT-608A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-135RN:11NXP SemiconductorsTRANS LDMOS POWER 135W SOT-502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 32A  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 26.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF991,215BF991,215NXP SemiconductorsMOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 100MHz  ·  Усиление: 29dB  ·  Номинальное напряжение: 20В  ·  Номинал тока: 20mA  ·  Коэффициент шума: 0.7dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-200,118BLF6G10LS-200,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF1211,215BF1211,215NXP SemiconductorsMOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 400MHz  ·  Усиление: 29dB  ·  Номинальное напряжение: 6V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 0.9dB  ·  Ток - тестовый: 15mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10-135RN,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 32A  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 26.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF904,215BF904,215NXP SemiconductorsMOSFET N-CH 7V 30MA SOT143B
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 200MHz  ·  Номинальное напряжение: 7V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 1dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G27-45,112NXP SemiconductorsIC WIMAX 2.7GHZ SOT608A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.7GHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 20A  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 7Вт  ·  Корпус: SOT-608A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-200R,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF998R,215NXP SemiconductorsMOSFET N-CH 12V 30MA SOT143R
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 200MHz  ·  Номинальное напряжение: 12В  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 0.6dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  Корпус: SOT-143R
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF908WR,115BF908WR,115NXP SemiconductorsMOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT343R
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 200MHz  ·  Номинальное напряжение: 12В  ·  Номинал тока: 40mA  ·  Коэффициент шума: 0.6dB  ·  Ток - тестовый: 15mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  Корпус: CMPAK-4
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF545A,215BF545A,215NXP SemiconductorsMOSFET N-CH 30V 10MA SOT23
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Номинал тока: 6.5mA  ·  Корпус: SST3 (SOT-23-3)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 38394041424344 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте