Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
MRF7S35120HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 3.1GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 120W · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | VRF157FL | Microsemi-PPG | MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 60A · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 600W | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
MRF7S35120HSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 3.1GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 120W · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6V12250HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.03GHz · Усиление: 20.3dB · Номинальное напряжение: 100V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 275Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6V12250HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.03GHz · Усиление: 20.3dB · Номинальное напряжение: 100V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 275Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLS6G3135-20,112 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS 3.5GHZ SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 2.1A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 20Вт · Корпус: SOT-608A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF19090SR3 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 90Вт · Корпус: NI-880S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6V10250HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH NI780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.09Ghz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 100V · Номинал тока: 2mA · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 250Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6V12250HSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.03GHz · Усиление: 20.3dB · Номинальное напряжение: 100V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 275Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6V12250HR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.03GHz · Усиление: 20.3dB · Номинальное напряжение: 100V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 275Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | CGH40025F | Cree Inc | TRANS 25W RF GAN HEMT 440166 PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 3.7GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: 440166 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
MRF6V10250HSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH NI780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.09Ghz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 100V · Номинал тока: 2mA · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 250Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6VP11KHR6 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 130MHz · Усиление: 26dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 5mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 1000W · Корпус: NI-1230 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6VP11KHR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 130MHz · Усиление: 26dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 5mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 1000W · Корпус: NI-1230 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLS6G2731-120,112 | NXP Semiconductors | TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 33A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 120W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLS6G2731S-120,112 | NXP Semiconductors | TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 33A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 120W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BLA1011S-200,112 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS NCH 75V SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.03GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 200Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BLA1011-200,112 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS NCH 75V SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.03GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 200Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | CGH40035F | Cree Inc | TRANS 35W RF GAN HEMT 440193 PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 3.5GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 10.5A · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: 440193 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
MRF6V14300HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 50V NI780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.4GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 100V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6V14300HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 50V NI780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.4GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 100V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BLL1214-250,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 45A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 250Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
MRF6V14300HSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 50V NI780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.4GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 100V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6V14300HR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 50V NI780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.4GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 100V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BLS6G3135-120,112 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS 3.5GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 7.2A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 130Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |