Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PD20010TR-E	STMicroelectronics	TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD20010STR-E	STMicroelectronics	TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35002N6AT1	Freescale Semiconductor	TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 65mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 1.5Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010ANR5	Freescale Semiconductor	TRANS RF 10W 12V PWR FET NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 140mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	CMPA0060002F	Cree Inc	TRANS RF GAN HEMT MMIC 780019PKG Тип транзистора: HEMT/ммIC · Частота: 4GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 1.4A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 3Вт · Корпус: 780019	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57030S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57018S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55035S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 16.9dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 35Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57018-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57060-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 14.3dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55003S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55025-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 25Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55025S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 25Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57030-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD54008-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55008S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD54003-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57002-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 250mA · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55003-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55008-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57060S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 14.3dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD20010-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD20010S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85015TR-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85035STR-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине