Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

MRF5S18060NBR1 — MOSFET RF SGL STAGE TO-272-4

ПроизводительFreescale Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораN-Channel
КорпусTO-272-4
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF6S9125NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 27W TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 20.2dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 27Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF5S19060MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 12W TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF5S9100NBR1MRF5S9100NBR1Freescale SemiconductorMOSFET N-CH 100W 26V TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 19.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6S19060MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 12W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 610mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: TO-272-4
Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6S19060NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 12W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 610mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6V2150NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 220MHz  ·  Усиление: 25dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 2.5mA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF5S21045MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 10W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: TO-272-4
Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFE6S9125NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 27W TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 20.2dB  ·  Номинальное напряжение: 66V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 27Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF5S9100MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 26V 20W TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 19.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6S21100MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.05A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 23Вт  ·  Корпус: TO-272-4
Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6V2150NBR5MRF6V2150NBR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 50V TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 220MHz  ·  Усиление: 25dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 2.5mA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6V4300NBR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 50V TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 450MHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 2.5mA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 300Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6S21100NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.05A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 23Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF5S21045NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 10W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF5S9080NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 26V 80W TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 90Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6S19100MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 22W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 22Вт  ·  Корпус: TO-272-4
Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF5S9101NBR1MRF5S9101NBR1Freescale SemiconductorMOSFET N-CH 100W 26V TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 700mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 100Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF5S4125NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF SGL 450MHZ TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 465MHz  ·  Усиление: 23dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6S18060NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 26V 60W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.81GHz ~ 1.88GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF5S19060NBR1MRF5S19060NBR1Freescale SemiconductorMOSFET N-CH 12W 28V TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF7S19100NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 29W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 29Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6S21060NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 14W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 610mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 14Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6S18100NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 100W TO2724
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6V2300NBR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 50V TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 220MHz  ·  Усиление: 25.5dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 2.5mA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 300Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6S19100NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 22W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 22Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MRF5S18060NBR1» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте