Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

MRF6S19100HSR3 — MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S

ПроизводительFreescale Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораN-Channel
Частота1.99GHz
Усиление16.1dB
Номинальное напряжение68V
Номинал тока10µA
Ток - тестовый900mA
Напряжение - тестовое28V
P1dB22Вт
КорпусNI-780S
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF6S19100HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 16.1dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 22Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF6S19100HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 16.1dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 22Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6S19100HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 16.1dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 22Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MRF6S19100HSR3» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте