Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

MRF6S21050LSR3 — MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400S

ПроизводительFreescale Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораN-Channel
Частота2.16GHz
Усиление16dB
Номинальное напряжение68V
Номинал тока10µA
Ток - тестовый450mA
Напряжение - тестовое28V
P1dB11.5W
КорпусNI-400S
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF6S21050LSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.16GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 11.5W  ·  Корпус: NI-400S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF6S21050LR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.16GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 11.5W  ·  Корпус: NI-400
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6S21050LR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.16GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 11.5W  ·  Корпус: NI-400
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MRF6S21050LSR3» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте