Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

MRF6S21060NR1 — MOSFET RF N-CH 28V 14W TO270-4

ПроизводительFreescale Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораN-Channel
Частота2.11GHz
Усиление15.5dB
Номинальное напряжение68V
Номинал тока10µA
Ток - тестовый610mA
Напряжение - тестовое28V
P1dB14Вт
КорпусTO-270-4
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF6S21060MR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 14W TO270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 610mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 14Вт  ·  Корпус: TO-270-4
Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF6S21060NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 14W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 610mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 14Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6S21060MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 14W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 610mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 14Вт  ·  Корпус: TO-272-4
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MRF6S21060NR1» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте