Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

MRF6S21100HSR5 — MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S

ПроизводительFreescale Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораN-Channel
Частота2.11GHz
Усиление15.9dB
Номинальное напряжение68V
Номинал тока10µA
Ток - тестовый950mA
Напряжение - тестовое28V
P1dB23Вт
КорпусNI-780S
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF6S21100HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 15.9dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 23Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF6S21100HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 15.9dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 23Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF6S21100HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 15.9dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 23Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MRF6S21100HSR5» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте