Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

MRF7S38075HSR5 — MOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780S

ПроизводительFreescale Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораN-Channel
Частота3.4GHz
Усиление14dB
Номинальное напряжение65V
Номинал тока10µA
Ток - тестовый900mA
Напряжение - тестовое30В
P1dB2Вт
КорпусNI-780S
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF7S38075HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 3.4GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF7S38075HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 3.4GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF7S38075HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 3.4GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MRF7S38075HSR5» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте