Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
MRFE6S9130HSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 27W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 27Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
MRF6S9130HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 27Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MRF6S9130HSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 27Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MRFE6S9130HR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 27W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 27Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MRFE6S9130HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 27W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 27Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |