Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

MRFG35003N6T1 — MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD

ПроизводительFreescale Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораpHEMT FET
Частота3.55GHz
Усиление9dB
Номинальное напряжение8V
Номинал тока2.9A
Ток - тестовый180mA
Напряжение - тестовое6V
P1dB3Вт
КорпусPLD-1.5
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRFG35003M6R5Freescale SemiconductorMOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 9dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 6V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35003M6T1Freescale SemiconductorMOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 9dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 6V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRFG35003N6AT1Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 6V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MRFG35003N6T1» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте