Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

NE650103M-A — MESFET GAAS 2.7GHZ 3M

Производитель	NEC
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Тип транзистора	MESFET
Частота	2.3GHz
Усиление	11dB
Номинальное напряжение	15V
Номинал тока	5A
Ток - тестовый	1.5A
Напряжение - тестовое	10V
P1dB	40dBm
Корпус	3M