Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 
PD57060S-E

- Габаритный чертеж

PD57060S-E — TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10

ПроизводительSTMicroelectronics
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораLDMOS
Частота945MHz
Усиление14.3dB
Номинальное напряжение65V
Номинал тока7A
Ток - тестовый100mA
Напряжение - тестовое28V
P1dB60Вт
КорпусPowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Встречается под наим.497-5310-5
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PD57060-EPD57060-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 14.3dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 60Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PD57060STR-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 14.3dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 60Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PD57060TR-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 14.3dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 60Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «PD57060S-E» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте