PTFA192001F V4 — IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
| ||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| PTFA192001E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| PTFA192001E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| PTFA192001F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца