Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

PTFA210601E V4 — IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2

ПроизводительInfineon Technologies
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораLDMOS
Частота2.14GHz
Усиление16dB
Номинальное напряжение65V
Номинал тока10µA
Ток - тестовый550mA
Напряжение - тестовое28V
P1dB2Вт
Встречается под наим.SP000376074
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PTFA210601F V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 60W H-37265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PTFA210601F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 60W H-37265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PTFA210601E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 60W H-36265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «PTFA210601E V4» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте