Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

PTFA211801F V4 — IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2

ПроизводительInfineon Technologies
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораLDMOS
Частота2.14GHz
Усиление15.5dB
Номинальное напряжение65V
Номинал тока10µA
Ток - тестовый1.2A
Напряжение - тестовое28V
P1dB35Вт
Встречается под наим.SP000384423
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PTFA211801F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 180W H-37260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.2A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 35Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PTFA211801E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 180W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.2A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 35Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PTFA211801E V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 180W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.2A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 35Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «PTFA211801F V4» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте