Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

PTFA261702E V1 — IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4

Производитель	Infineon Technologies
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Тип транзистора	LDMOS
Частота	2.66GHz
Усиление	15dB
Номинальное напряжение	65V
Номинал тока	10µA
Ток - тестовый	1.8A
Напряжение - тестовое	28V
P1dB	170Вт
Встречается под наим.	SP000407782