Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BCR 146L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 70mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 133L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 130MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 129L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 139L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 135L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 149L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 70mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 112L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 140MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 119L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 142L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 141L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 130MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 148L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 70mA · Модуляция частот: 100MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 103L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP3-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 140MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 108T E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 71 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 170MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-75 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 108 B6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 170MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BCR 108 E6433 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 170MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BCR 108 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 170MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BCR 108W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 170MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
BCR 108F E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL TSFP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 170MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 108L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 170MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 119W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DIGITAL SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BCR 133W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DIGITAL SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 130MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BCR 148W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DIGITAL SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 70mA · Модуляция частот: 100MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BCR 116W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DIGITAL SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BCR 129W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DIGITAL SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BCR 142W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DIGITAL SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |