- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж |
DDTC114EE-7 — TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523
| Производитель | Diodes Inc |
| Обратите внимание | Encapsulate Change 09 июл 2007 |
 | | Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.) | 50V |
| Сопротивление базы (Ом) | 47K |
| Сопротивление эмитер - база (Ом) | 47K |
| Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Ток коллектора (макс) | 50mA |
| Модуляция частот | 250MHz |
| Мощность макcимальная | 150mW |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Корпус | SOT-523 |
| Встречается под наим. | DDTC114EEDICT |
|
