Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased)
 
DDTC123YUA-7

- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж

DDTC123YUA-7 — TRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3

ПроизводительDiodes Inc
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Сопротивление базы (Ом)2.2K
Сопротивление эмитер - база (Ом)10K
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce33 @ 10mA, 5V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 5mA
Ток коллектора (макс)100mA
Модуляция частот250MHz
Мощность макcимальная200mW
Тип транзистораNPN - Pre-Biased
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSC-70-3, SOT-323-3
Встречается под наим.DDTC123YUADICT
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
DDTC123YUA-7-FDDTC123YUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
DDTC123YCA-7DDTC123YCA-7Diodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
DDTA123YUA-7-FDDTA123YUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках
DDTC123YCA-7-FDDTC123YCA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках
DDTA123YUA-7DDTA123YUA-7Diodes IncTRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «DDTC123YUA-7» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте