DTC144GUAT106 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased) (Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	DTC144EUAT106	Rohm Semiconductor	TRAN DIGIT NPN 50V 100MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	FJX3004RTF	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3		Доп. информация Искать в поставщиках
	DTC144WUAT106	Rohm Semiconductor	TRANS NPN 50V 30MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	DTC144EKAT146	Rohm Semiconductor	TRAN DIGIT NPN 50V 100MA SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	DDTC144EUA-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	DTC144GKAT146	Rohm Semiconductor	TRANS NPN 50V 100MA SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	DTC124XUAT106	Rohm Semiconductor	TRANS NPN 50V 50MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	DDTC144EUA-7-F	Diodes Inc	TRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	DTC144VUAT106	Rohm Semiconductor	TRANS NPN 50V 30MA SOT-323 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	DTA144EUAT106	Rohm Semiconductor	TRANS PNP 50V 30MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	DTA144GUAT106	Rohm Semiconductor	TRANS PNP 50V 100MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased)

DTC144GUAT106 — TRANS NPN 50V 100MA SOT-323

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам