Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
FJY4007R | Fairchild Semiconductor | TRANS PNP 50V 100MA SOT-523F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523F | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
FJY4008R | Fairchild Semiconductor | TRANS PNP 50V 100MA SOT-523F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523F | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
FJY4004R | Fairchild Semiconductor | TRANS PNP 50V 100MA SOT-523F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523F | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
FJY4013R | Fairchild Semiconductor | TRANS PNP 50V 100MA SOT-523F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523F | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
FJV4106RMTF | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR PNP 50V 100MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
FJY4014R | Fairchild Semiconductor | TRANS PNP 50V 100MA SOT-523F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523F | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
FJX4006RTF | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR PNP 50V 100MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |