Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased)

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	50V
Сопротивление базы (Ом)	2.2K
Сопротивление эмитер - база (Ом)	2.2K
Ток коллектора (макс)	800mA
Мощность макcимальная	500мВт
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Встречается под наим.	PBRP123ES AMO, PBRP123ES AMO-ND

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PBRP123YS,126	NXP Semiconductors	TRANS PNP W/RES 50V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Ток коллектора (макс): 800mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов