2N5550TA — TRANSISTOR NPN 140V 600MA TO-92
| ||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| 2N5550TAR | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 140V 600MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| 2N5550_J24Z | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 140V 600MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
| 2N5550_D26Z | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 140V 600MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
 | 2N5550BU | Fairchild Semiconductor | IC TRANS NPN SS HV 600MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| 2N5550TF | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 140V 600MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| 2N5550TFR | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 140V 600MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | 2N5550G | ON Semiconductor | TRANS NPN GP SS 0.6A 140V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| 2N5550RLRP | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 140V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| 2N5550RLRPG | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 140V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| 2N5550RLRAG | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 140V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
| 2N5550RLRA | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 140V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
| 2N5550 | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 140V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца